IGBT模块高温反偏试验系统

华科智源-高温反偏试验HTRB是在高温下加上反向偏压的工作模式,由于高温下漏电流增加,质量差的器件就会失效,以此评估产品的可靠性。测试目的:研究器件在静态工作模式下,以最高额定反向直流电压下或者80%最高额定反向直流电压进行工作,以确定偏置条件和温度随时间对固态设备的影响

  • 品牌: 华科智源
  • 名称: IGBT模块高温反偏试验系统
  • 型号: HKZY-HTRB-HS24
  • 用途: 高温反偏试验HTRB,主要是考核器件的高温长期耐受性和寿命预测。在高温下施加反压的结果,更容易曝露出器件内部的原有缺陷。

  • 产品参数
  • 品牌: 华科智源
  • 名称: IGBT模块高温反偏试验系统
  • 型号: HKZY-HTRB-HS24
  • 用途: 高温反偏试验HTRB,主要是考核器件的高温长期耐受性和寿命预测。在高温下施加反压的结果,更容易曝露出器件内部的原有缺陷。

1、系统名称

型号名称     GKH-HTRB-HS24 高温反偏试验系统

使用范围    适用于 B1~B6 封装的 IGBT 模块高温反偏试验。

符合标准    试验线路及试验方法满足 IEC60747-9  AEC Q101 相关标准要求。

系统体积    2200mm(W)×1350 (D)mm×1955mm(H)

2、试验能力

测试能力

技持 IGBT 模块的单边试验和上下半桥同时试验。上下半桥各最大电压 4000V,最高试验 温度 200℃。

通道分区

整机共分为 4 个试验区,每个试验区对应 6 个独立的试验平台,整机共 24 个试验平台。 每个试验平台独立控温。试验平台上可安装 B1~B6 封装的器件。每个平台上最大可安装 3 个模块(适模块大小而定)。

满载容量

24 个加热平台,可试验 24 个产品。当一个加热平台放 3 个器件时(并联),可最大 72 个器件。

4、加热平台

加热平台共分为 3 层结构,分别是电加热板,陶瓷绝缘板、铝板层。器件安装在铝板上。 加热板中间有测温点。

尺寸        加热平台的加热尺寸是: 150mm*150mm。

器件安装方 

每个平台上有两个导轨,每个导轨上有 4 个固定螺杆,定位点为耐高温材料。通过调节 导轨的宽度可以固定不同尺寸的模块。

测温方式

每个加热平台预留 2 个测温点,一个是对平台温度的测温,一个是器件壳温的测量。当 器件锁紧在平台上,通过预留在底部的温度探头测量壳温。

主要指标

温度范围: 室温~200℃;

温度偏差: ≤±3℃;

温度均匀性: ≤1℃;

温度过冲: ≤3℃;

控制方式

可选择平台温度\器件壳温为控制参考点,通过该点的温度反馈控制平台温度。

温度显示

显示两个温度值,一个是加热平台的温度 Ta,一个是器件的壳温 Tc。

电源方案    系统配置 4 组台试验电源,每组电源为一台正电源和一台负电源(最后两台电源全为正

电源,电压为 4000V),电源规格如下:


试验电源

PS1

PS2

PS3

PS4



输出电压

02000V

-2000-200V

02000V

-2000-200V



输出电流

0.6A

0 6A

0.6A

0.6A



试验电源

PS5

PS6

PS7

PS8



输出电压

02000V

-2000-200V

02000V

-2000-200V



输出电流

0.6A

0 6A

0.6A

0.6A



IGBT模块高温反偏试验系统
华科智源-高温反偏试验HTRB是在高温下加上反向偏压的工作模式,由于高温下漏电流增加,质量差的器件就会失效,以此评估产品的可靠性。测试目的:研究器件在静态工作模式下,以最高额定反向直流电压下或者80%最高额定反向直流电压进行工作,以确定偏置条件和温度随时间对固态设备的影响
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