华科智源-高温反偏试验HTRB是在高温下加上反向偏压的工作模式,由于高温下漏电流增加,质量差的器件就会失效,以此评估产品的可靠性。测试目的:研究器件在静态工作模式下,以最高额定反向直流电压下或者80%最高额定反向直流电压进行工作,以确定偏置条件和温度随时间对固态设备的影响
1、系统名称 | |
型号名称 GKH-HTRB-HS24 高温反偏试验系统 | |
使用范围 适用于 B1~B6 封装的 IGBT 模块高温反偏试验。 | |
符合标准 试验线路及试验方法满足 IEC60747-9 及 AEC Q101 相关标准要求。 | |
系统体积 2200mm(W)×1350 (D)mm×1955mm(H) | |
2、试验能力 | |
测试能力 | 技持 IGBT 模块的单边试验和上下半桥同时试验。上下半桥各最大电压 4000V,最高试验 温度 200℃。 |
通道分区 | 整机共分为 4 个试验区,每个试验区对应 6 个独立的试验平台,整机共 24 个试验平台。 每个试验平台独立控温。试验平台上可安装 B1~B6 封装的器件。每个平台上最大可安装 3 个模块(适模块大小而定)。 |
满载容量 | 24 个加热平台,可试验 24 个产品。当一个加热平台放 3 个器件时(并联),可最大 72 个器件。 |
4、加热平台 | |
加热平台 | 共分为 3 层结构,分别是电加热板,陶瓷绝缘板、铝板层。器件安装在铝板上。 加热板中间有测温点。 |
尺寸 加热平台的加热尺寸是: 150mm*150mm。 | |
器件安装方 式 | 每个平台上有两个导轨,每个导轨上有 4 个固定螺杆,定位点为耐高温材料。通过调节 导轨的宽度可以固定不同尺寸的模块。 |
测温方式 | 每个加热平台预留 2 个测温点,一个是对平台温度的测温,一个是器件壳温的测量。当 器件锁紧在平台上,通过预留在底部的温度探头测量壳温。 |
主要指标 | 温度范围: 室温~200℃; 温度偏差: ≤±3℃; 温度均匀性: ≤1℃; 温度过冲: ≤3℃; |
控制方式 | 可选择平台温度\器件壳温为控制参考点,通过该点的温度反馈控制平台温度。 |
温度显示 | 显示两个温度值,一个是加热平台的温度 Ta,一个是器件的壳温 Tc。 |
电源方案 系统配置 4 组台试验电源,每组电源为一台正电源和一台负电源(最后两台电源全为正 电源,电压为 4000V),电源规格如下: | |||||||
试验电源 | PS1 | PS2 | PS3 | PS4 | |||
输出电压 | 0~2000V | -2000~-200V | 0~2000V | -2000~-200V | |||
输出电流 | 0.6A | 0 6A | 0.6A | 0.6A | |||
试验电源 | PS5 | PS6 | PS7 | PS8 | |||
输出电压 | 0~2000V | -2000~-200V | 0~2000V | -2000~-200V | |||
输出电流 | 0.6A | 0 6A | 0.6A | 0.6A |